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ZMY150B

产品描述Zener Diode, 150V V(Z), 2%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
标准
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ZMY150B概述

Zener Diode, 150V V(Z), 2%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2

ZMY150B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-213AB
包装说明O-PELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
标称参考电压150 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%), ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)
ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%),
ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-02-23
ZMY...G planar
ZMY... non-planar
ZMY3B9G ... ZMY9B1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
3.9...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
Glass case – Glasgehäuse MELF
ZMY10B ... ZMY200B
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
Type
Typ
5.0
5.0
Type
Typ
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
0.4
Dimensions
- Maße [mm]
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.
Maximum ratings and Characteristics
Power dissipation – Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
2
0.5
Grenz- und Kennwerte
ZMY3B9G ... ZMY9B1G
T
A
= 50°C
P
tot
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K/W
1
)
< 70 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
ZMY10B ... ZMY200B
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
tot
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 45 K/W
1
)
< 10 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1

 
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