TLE2161CP放大器基础信息:
TLE2161CP是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-8
TLE2161CP放大器核心信息:
TLE2161CP的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.003 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2161CP的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的TLE2161CP的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2161CP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为5600 kHz。
TLE2161CP的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。TLE2161CP的输入失调电压为3900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2161CP的相关尺寸:
TLE2161CP的宽度为:7.62 mm,长度为9.81 mmTLE2161CP拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
TLE2161CP放大器其他信息:
TLE2161CP采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2161CP的频率补偿情况是:YES (AVCL>=5)。其温度等级为:COMMERCIAL。
其属于微功率放大器。TLE2161CP不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。TLE2161CP的封装代码是:DIP。
TLE2161CP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2161CP封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
TLE2161CP放大器基础信息:
TLE2161CP是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-8
TLE2161CP放大器核心信息:
TLE2161CP的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.003 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLE2161CP的标称压摆率有10 V/us。厂商给出的TLE2161CP的最大压摆率为0.375 mA,而最小压摆率为5 V/us。其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLE2161CP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为5600 kHz。
TLE2161CP的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。TLE2161CP的输入失调电压为3900 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLE2161CP的相关尺寸:
TLE2161CP的宽度为:7.62 mm,长度为9.81 mmTLE2161CP拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:8
TLE2161CP放大器其他信息:
TLE2161CP采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLE2161CP的频率补偿情况是:YES (AVCL>=5)。其温度等级为:COMMERCIAL。
其属于微功率放大器。TLE2161CP不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDIP-T8。TLE2161CP的封装代码是:DIP。
TLE2161CP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TLE2161CP封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.003 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 70 dB |
| 频率补偿 | YES (AVCL>=5) |
| 最大输入失调电压 | 3900 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| 长度 | 9.81 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -19 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 5 V/us |
| 标称压摆率 | 10 V/us |
| 最大压摆率 | 0.375 mA |
| 供电电压上限 | 19 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 5600 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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