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HYB25D256400CEL-6

产品描述DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共85页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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HYB25D256400CEL-6概述

DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

HYB25D256400CEL-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e3
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet, V0.5, May 2003
Memory Products
P
R
E
LI
N e v e r
s t o p
M
t h i n k i n g .
IN
A
256-Mbit Double Data Rate SDRAM
Green Product
R
HYB25D256400C[E/F](L)
HYB25D256800C[E/F](L)
HYB25D256160C[E/F](L)
Y
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