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CHDTA114GUPT

产品描述PNP Digital Silicon Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共2页
制造商CHENMKO
官网地址http://www.chenmko.com/
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CHDTA114GUPT概述

PNP Digital Silicon Transistor

CHDTA114GUPT规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
SURFACE MOUNT
PNP Digital Silicon Transistor
VOL TA GE 50 Vo l t s
APPLICATION
* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.
CHDTA114GUPT
CURRENT 100 m A m p er e
FEATURE
* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)
* High current gain.
* Suitable for high packing density.
*
*
*
*
Low colloector-emitter saturation.
High saturation current capability.
Internal isolated PNP transistors in one package.
Built in bias resistor(R1=10kΩ, Typ. )
(2)
(3)
SC-70/SOT-323
(E )
(C)
1.3±0.1
0.3±0.1
0.65
2.0±0.2
0.65
(1)
(B)
CONSTRUCTION
* One PNP transistors and bias of thin-film resistors in one
package.
1.25±0.1
MARKING
GU1
Emitter
Base
1
0.15±0.05
0.1Min.
0.9±0.1
0.6
0~0.1
2.3±0.15
CIRCUIT
2
R1
TR
3
Collector
Dimensions in millimeters
SC-70/SOT-323
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System.
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
STG
T
J
J-S
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
PARAMETER
Coll ector -Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Coll ector current
Collector Power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
Thermal resistance , Note 1
junction - soldering point
T
amb
25
O
C, Note 1
CONDITIONS
-50
-50
-5
-100
200
150
−55 ∼ +150
140
VALUE
V
V
V
mA
mW
O
UNIT
C
O
C
C/W
O
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