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IRFP4668PBF

产品描述130 A, 200 V, 0.0097 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小286KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRFP4668PBF在线购买

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IRFP4668PBF概述

130 A, 200 V, 0.0097 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC

130 A, 200 V, 0.0097 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-247交流

IRFP4668PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-247AC
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiHEXFET Power MOSFET
雪崩能效等级(Eas)760 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)130 A
最大漏极电流 (ID)130 A
最大漏源导通电阻0.0097 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)520 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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