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US6T8TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准  
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US6T8TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN

US6T8TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)400 MHz
Base Number Matches1

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US6T8
Transistors
General purpose amplification (−12V,
−1.5A)
US6T8
Application
Low frequency amplifier
Driver
Dimensions
(Unit : mm)
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
V
CE (sat)
≤ −
200mV
At I
C
=
500mA / I
B
=
25mA
ROHM : TUMT6
Abbreviated symbol : T08
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
−15
−12
−6
−1.5
−3
400
1.0
0.7
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A
∗1
A
mW/TOTAL
∗2
W/TOTAL
∗3
W/ELEMENT
∗3
°C
°C
Equivalent circuit
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
∗1
Single pulse, Pw=1ms
∗2
Each Terminal Mounted on a Recommended
∗3
Mounted on a 25mm×25mm×
t
0.8mm Ceramic substrate
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
∗Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
−15
−12
−6
270
Typ.
−85
400
12
Max.
−100
−100
−200
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
MHz
pF
Conditions
I
C
= −10µA
I
C
= −1mA
I
E
= −10µA
V
CB
= −15V
V
EB
= −6V
I
C
= −500mA,
I
B
= −25mA
V
CE
= −2V,
I
C
= −200mA
V
CE
= −2V,
I
E
=200mA,
f=100MHz
V
CB
= −10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
0.2Max.
Rev.B
1/2

 
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