电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRFM054D

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFM054D概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM054D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)480 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)220 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRFM054D相似产品对比

IRFM054D IRFM054DPBF IRFM054UPBF IRFM054U
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 480 mJ 480 mJ 480 mJ 480 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 35 A 35 A 35 A 35 A
最大漏源导通电阻 0.027 Ω 0.027 Ω 0.027 Ω 0.027 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 220 A 220 A 220 A 220 A
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
锁相环资料
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 02:57 编辑 这个资料里讲的很详细,关于锁相环,这个东西还是很有用武之地的,如果恰当使用的话:victory: ...
beijingxiaoxues 电子竞赛
求助!板子可能锁住了
求助!我试图通过在普通的应用程序里边加入下边的一段代码:然后兴致勃勃地将代码通过lm3s的ICDI烧到板子里面,发现从此我再也烧不进去程序了。 我的原始想法是,lm3s8962的ROM里面是有固化的b ......
Bigheart_ 微控制器 MCU
【为C2000做贡献】集成外设DSPBIOS应用实例
集成外设DSPBIOS应用实例,值得学习!...
fxw451 微控制器 MCU
LMSS6432使用Lwip作为TCP客户端如何接收数据?
使用lwip的RAW的模式:void TCP_Client_Init(){ struct tcp_pcb *Clipcb; struct ip_addr ipaddr; IP4_ADDR(&ipaddr,192,168,1,16); Clipcb = tcp_new(); // 建立通信的TCP控制块(Clipcb) tcp ......
shindoo 微控制器 MCU
关于正负电源转化的问题
请问各位大侠,如何将正5~10v转化成负5v的电源?有没有类似的片子?...
leeweiran 嵌入式系统
如何学习FPGA技术?
如何来学习FPGA技术? 面对网上错综复杂的资料我们该怎么样来学习? (1)掌握FPGA设计的流程: 了解了FPGA的结构和设计流程才有可能知道怎么去优化设计,提高速度,减少资源,不要急躁,不要 ......
雷北城 FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 395  795  2439  753  1472  21  36  8  13  20 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved