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1N914A

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小29KB,共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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1N914A概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.15 A, 硅, 信号二极管, DO-35

1N914A规格参数

参数名称属性值
厂商名称SynSemi
Reach Compliance Codeunknow

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1N914/A/B
FEATURES :
• High switching speed: max. 4 ns
• Continuous reverse voltage:max. 75 V
• Repetitive peak reverse voltage:max. 100 V
• Repetitive peak forward current: max. 225 mA
• Pb / RoHS Free
HIGH SPEED SWITCHING DIODES
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Continuous Reverse Voltage
Maximum Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Repetitive Peak Forward Current
Maximum Non-repetitive Peak Forward Current at t = 1s
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
(Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.)
Symbol
V
RRM
V
RM
I
F
P
D
I
FRM
I
FSM
T
J
T
S
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Value
100
75
75
250
225
0.5
175
-65 to + 200
Unit
V
V
mA
mW
mA
A
°C
°C
Electrical Characteristics
Parameter
Reverse Current
Symbol
I
R
1N914
1N914A
1N914B
1N914B
Test Condition
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V , Tj = 150
°C
I
F
= 10 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
f = 1MHz ; V
R
= 0
I
F
= 10 mA to I
R
= 60 mA
R
L
= 100
Ω
; measured
at I
R
= 1mA
Min
-
-
-
-
0.62
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
25
50
1.0
1.0
0.72
1.0
4.0
4
Unit
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
Forward Voltage
V
F
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
Cd
Trr
Page 1 of 2
Rev. 03 : March 25, 2005

1N914A相似产品对比

1N914A 1N914B 1N914
描述 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
厂商名称 SynSemi SynSemi SynSemi
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
是否Rohs认证 - 符合 符合
配置 - SINGLE SINGLE
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.62 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 - 2 A 0.5 A
元件数量 - 1 1
最高工作温度 - 150 °C 175 °C
最大输出电流 - 0.15 A 0.075 A
最大重复峰值反向电压 - 100 V 100 V
最大反向恢复时间 - 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 - NO NO
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