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1N5407G

产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小26KB,共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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1N5407G概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3 A, 800 V, 硅, 整流二极管

1N5407G规格参数

参数名称属性值
厂商名称SynSemi
Reach Compliance Codeunknow

1N5407G相似产品对比

1N5407G 1N5400G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5408G
描述 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27
厂商名称 SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi SynSemi
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 - 1 1 1 1 1
最高工作温度 - 170 °C 170 °C 170 °C 170 °C 170 °C
最大输出电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 - 50 V 200 V 400 V 600 V 1000 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO

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