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1N4447

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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1N4447概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N4447规格参数

参数名称属性值
厂商名称SynSemi
Reach Compliance Codeunknow

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1N4447
FEATURES :
• High switching speed: max. 4 ns
• Reverse voltage:max. 75V
• Peak reverse voltage:max. 100 V
• Pb / RoHS Free
HIGH SPEED SWITCHING DIODE
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
( Ta = 25 °C)
Parameter
Maximum Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Voltage
Maximum Forward DC Current
Maximum Average Forward Current
Maximum Surge Forward Current at tp = 1 µs
Power Dissipation
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
RM
V
R
I
F
I
F(AV)
I
FSM
P
D
T
J
T
STG
Value
100
75
200
150
2
500
200
-65 to + 200
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
Parameter
Reverse Current
Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Diode Capacitance
Reverse Recovery T
( Ta = 25 °C)
Symbol
I
R
V
F
V
(BR)R
Cd
Trr
Test Condition
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V , Tj = 150
°C
I
F
= 20 mA
I
R
= 100
μA
(pulsed)
f = 1MHz ; V
R
= 0
I
F
= 10 mA ,V
R
= 6 V,
R
L
= 100
Ω
Min.
-
-
-
100
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
25
50
1
-
2
4
Unit
nA
μA
V
V
pF
ns
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