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1N4150

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小18KB,共2页
制造商SynSemi
官网地址http://www.synsemi.com/
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1N4150概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4150规格参数

参数名称属性值
厂商名称SynSemi
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4150
FEATURES :
• High switching speed: max. 4 ns
• Continuous reverse voltage:max. 50 V
• Repetitive peak reverse voltage:max. 75 V
• Repetitive peak forward current: max. 600 mA
• Pb / RoHS Free
HIGH SPEED SWITCHING DIODE
DO - 35 Glass
(DO-204AH)
0.079(2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.150 (3.8)
max.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.020 (0.52)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(Rating at
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Continuous Reverse Voltage
Maximum Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Repetitive Peak Forward Current
Maximum Surge Forward Current at t = 1s , Tj = 25°C
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.)
Symbol
V
RRM
V
RM
I
F
P
D
I
FRM
I
FSM
T
J
T
S
Value
75
50
200
500
600
0.5
200
-65 to + 200
Unit
V
V
mA
mW
mA
A
°C
°C
Electrical Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Reverse Current
Forward Voltage
Diode Capacitance
Symbol
I
R
Test Condition
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V , Tj = 150
°C
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
f = 1MHz ; V
R
= 0
I
F
= 10 mA to 200 mA
to I
R
= 10 mA to 200 mA;
R
L
= 100
; measured
at I
R
= 0.1x I
F
Min.
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
0.1
100
0.92
1.0
2.5
Unit
µA
µA
V
pF
V
F
Cd
Reverse Recovery Time
Trr
-
-
4
ns
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