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NN5117805ALJ-50

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小449KB,共20页
制造商United Microelectronics Corporation
官网地址http://www.umc.com/
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NN5117805ALJ-50概述

EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28

NN5117805ALJ-50规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新YES
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

NN5117805ALJ-50相似产品对比

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描述 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28 EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28 EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44 SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 50 ns 70 ns 70 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048
自我刷新 YES NO YES NO NO YES
最大待机电流 0.00015 A 0.001 A 0.00015 A 0.001 A 0.001 A 0.00015 A
最大压摆率 0.13 mA 0.13 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.12 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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