Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),525A I(T),TO-200AB
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 25 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 20 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 600 mA |
最大漏电流 | 30 mA |
通态非重复峰值电流 | 3200 A |
最大通态电流 | 525000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 1000 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
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