Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
表面贴装 | YES |
标称过渡频率 (fT) | 2 MHz |
Base Number Matches | 1 |
CJD2955TR13TIN/LEAD | CJD3055LEADFREE | CJD2955LEADFREE | |
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描述 | Transistor | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | not_compliant |
最大集电极电流 (IC) | 10 A | 10 A | 10 A |
配置 | Single | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 5 | 5 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | PNP | NPN | PNP |
表面贴装 | YES | YES | YES |
标称过渡频率 (fT) | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
包装说明 | - | DPAK-3 | DPAK-3 |
针数 | - | 3 | 3 |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
集电极-发射极最大电压 | - | 60 V | 60 V |
JESD-30 代码 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 2 | 2 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | 260 | 260 |
功耗环境最大值 | - | 20 W | 20 W |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
端子面层 | - | MATTE TIN (315) | MATTE TIN (315) |
端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 10 | 10 |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
VCEsat-Max | - | 1.1 V | 1.1 V |
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