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CJD2955TR13TIN/LEAD

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小557KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CJD2955TR13TIN/LEAD概述

Transistor

CJD2955TR13TIN/LEAD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)10 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1

CJD2955TR13TIN/LEAD相似产品对比

CJD2955TR13TIN/LEAD CJD3055LEADFREE CJD2955LEADFREE
描述 Transistor Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A
配置 Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 5 5
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP NPN PNP
表面贴装 YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 2 MHz 2 MHz 2 MHz
Base Number Matches 1 1 -
是否无铅 - 不含铅 不含铅
包装说明 - DPAK-3 DPAK-3
针数 - 3 3
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 - 60 V 60 V
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
功耗环境最大值 - 20 W 20 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
VCEsat-Max - 1.1 V 1.1 V
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