电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SFT14GB0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小372KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SFT14GB0G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

SFT14GB0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SFT11G thru SFT18G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Super Fast Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
TS-1
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
TS-1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
20
100
- 55 to +150
- 55 to +150
0.95
5
100
35
10
O
SFT
11G
50
35
50
SFT
12G
100
70
100
SFT
13G
150
105
150
SFT
14G
200
140
200
1
30
SFT
15G
300
210
300
SFT
16G
400
280
400
SFT
17G
500
350
500
SFT
18G
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1312029
Version: H13
0x8989液晶驱动控制器
我的液晶模块调试读出的DeviceCode=0x8989,光盘里给的是ili9320的资料,我对照例程里的些寄存器语句,和ili9320手册上的命令有些对不上,请问那儿能找到0x8989驱动芯片的数据手册,我在百度上 ......
tang_jun_001 stm32/stm8
伺服控制软件中三角函数值的计算误差分析
  摘  要:文章对不同的三角函数实时计算方法的误差进行定量分析 ,给出了伺服控制软件中确定三角函数计算方法的标准和注意事项 ,有助于伺服控制软件的合理设计。...
frozenviolet 工业自动化与控制
寻找北京业余开发MSP430的人
1.模拟前端本人解决.MSP430买现成的板. 2.主要做软件.包括:ADC,DAC,采集控制,计算,键盘(5键)设置,点阵显示,低功耗管理(电源,工作频率,工作模式的控制).总工作量约100小 ......
qihun1234 嵌入式系统
关于stm32 flash问题。
stm32内部flash可以用来当eeprom。用户用的时候可以随便用哪页(主存储区)?会不会和代码空间冲突,用时会不会把存代码的存储页擦除?...
徐龙成2008 stm32/stm8
如何访问Powerpc的immr寄存器
如果知道了immr这个寄存器的地址,可以直接用这个地址访问寄存器吗? 或者是不是需要把这个地址重新映射一下才可以。 刚开始弄这个,问题初级了一点。...
a2668240714 嵌入式系统
使用quartus遇到了极其严重的问题.紧急求助.没装quartus的最好先看一下
用simulink弄了点东西.然后..在Creat project的时候居然: 124878 读取软件路径的时候遇到空格就执行了..这怎么办?难道要重装quartus?求各位经验丰富前辈指点.最好有什么办法改改注册表什么 ......
astwyg FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1780  2548  2036  1521  880  34  12  19  11  21 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved