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DSEP2X35-12C

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 35A, 1200V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共1页
制造商IXYS
标准  
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DSEP2X35-12C概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 35A, 1200V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4

DSEP2X35-12C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明R-PUFM-X4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3.25 V
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量2
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散165 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流250 µA
最大反向恢复时间0.02 µs
反向测试电压1200 V
表面贴装NO
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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