Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMP351P72AMP4-Y5

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HYMP351P72AMP4-Y5: 产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小272KB，共24页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HYMP351P72AMP4-Y5概述

DDR DRAM Module, 512MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HYMP351P72AMP4-Y5规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1
内存密度	38654705664 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C
最低工作温度
组织	512MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
Base Number Matches	1

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240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs based on 1Gb A ver.

This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 1Gb 1st ver. DDR2 SDRAMs

in Fine Ball Grid Array(FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 1Gb ver. based Reg-

istered DDR2 DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 5.25" width form factor of

industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate2 Synchro-

nous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/-

0.1V Power Supply

All inputs and outputs are compatible with

SSTL_1.8 interface

8 Bank architecture

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3 , 4 , 5

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

•

Fully differential clock operations (CK & /CK)

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60, 68ball FBGA

133.35 x 30.00 mm form factor

Lead-free Products are RoHS compliant

•

ORDERING INFORMATION

Part Name

HYMP112P72AP8-C4/Y5

HYMP125P72AP4-C4/Y5

HYMP351P72AMP4-C4/Y5

HYMP112R72AP8-E3

HYMP125R72AP4-E3

HYMP351R72AMP4-E3

Density

1GB

2GB

4GB

1GB

2GB

4GB

Organization

128Mx72

256Mx72

512Mx72

128Mx72

256Mx72

512Mx72

# of

DRAMs

# of

ranks

Parity

Support

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / Jul. 2007

HYMP351P72AMP4-Y5相似产品对比

	HYMP351P72AMP4-Y5	HYMP112R72AP8-E3	HYMP125P72AP4-C4	HYMP112P72AP8-Y5	HYMP125P72AP4-Y5	HYMP125R72AP4-E3	HYMP351P72AMP4-C4	HYMP351R72AMP4-E3	HYMP112P72AP8-C4
描述	DDR DRAM Module, 512MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 512MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 512MX72, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	200 MHz	267 MHz	333 MHz	333 MHz	200 MHz	267 MHz	200 MHz	267 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
内存密度	38654705664 bit	9663676416 bit	19327352832 bit	9663676416 bit	19327352832 bit	19327352832 bit	38654705664 bit	38654705664 bit	9663676416 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240	240	240	240
字数	536870912 words	134217728 words	268435456 words	134217728 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words	536870912 words	134217728 words
字数代码	512000000	128000000	256000000	128000000	256000000	256000000	512000000	512000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C
组织	512MX72	128MX72	256MX72	128MX72	256MX72	256MX72	512MX72	512MX72	128MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	20
厂商名称	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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