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HM5251805BLTD-75

产品描述Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共64页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM5251805BLTD-75概述

Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

HM5251805BLTD-75规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度1,2,4,8
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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