IRKNF200-12KPBF,IRKNF200-12KPBF pdf中文资料,IRKNF200-12KPBF引脚图,IRKNF200-12KPBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRKNF200-12KPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, POWER, MAGN-A-PAK-5; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小192KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRKNF200-12KPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 444A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, POWER, MAGN-A-PAK-5

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X2
针数	5
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	UL APPROVED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	20 µs
配置	SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE
关态电压最小值的临界上升速率	1000 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JESD-30 代码	R-PUFM-X2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	444 A
重复峰值关态漏电流最大值	50000 µA
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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