Silicon Controlled Rectifier, 219.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | ISOLATED |
标称电路换相断开时间 | 25 µs |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 20 V/us |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X5 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 219.8 A |
断态重复峰值电压 | 600 V |
重复峰值反向电压 | 600 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved