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SB705D

产品描述SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
文件大小117KB,共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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SB705D概述

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SB705D
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
for general purpose detection and high speed
switching applications
3
1
2
Marking Code:
RB
SOT-23 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25
O
C)
Parameter
Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Mean Rectifying Current
Peak Forward Surge Current
1)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
s
Value
40
40
30
200
125
- 40 to + 125
Unit
V
V
mA
mA
O
C
C
O
60 Hz for 1
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 1 mA
Reverse Current
at V
R
= 10 V
Capacitance between Terminals
at V
R
= 1 V, f = 1 MHz
Symbol
V
F
I
R
C
T
Typ.
-
-
2
Max.
0.37
1
-
Unit
V
µA
pF
Note: ESD sensitive product handling required.
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 09/08/2006
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