GBU8B: 产品描述8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小145KB，共4页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn

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GBU8B概述

8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBU8B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LRC
Reach Compliance Code	unknown
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	8 A
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Bridge rectifiers

Feature

．Plastic

Package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

．This

series is UL listed under the Recognized

Component index,file number E231047

．Single-in-line

package

．High

current capality with small package

．Superior

thermal conductivity

．High

temperature soldering guaranted:

260℃/10 seconds

．High

FSM

G BU8 Series

．

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

Product Characteristic

Item

Maximum repetitive voltage

Maximum DC reverse current TA=25℃

at rated DC blocking voltage TA=125℃

Average recified forward current 60Hz sine

wave,R-load with heatsink Tc=100℃

(1)(2)

Symbol GBU8A

GBU8B

GBU8D

GBU8G

GBU8J

GBU8K GBU8M Unit

FSM

Vdia

θJA

θJC

Tstg

100

200

400

500

200

2.5

(2)

2.2

(1)

1.0

150

-55~150

600

800

1000

µA

℃/W

℃

Peak forward surge current 10.0 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Dielectric strength Terminals to case,

AC 1 minute Current 1mA

Typical thermal resistance per leg

(3)

Maximum instantaneous forward voltage at 4A

Operating junction temperature

Storage temperature

Notes：(1)Unit

case mounted on Al plate heat-sink

transfer with #6 screw{heat-sink size:8.2*8.2*03cm)

(2) Unites mounted on P.C.B. without heat-sink

(3)Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat

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GBU8B相似产品对比

	GBU8B	GBU8A	GBU8D	GBU8J	GBU8K
描述	8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	LRC	LRC	LRC	LRC	LRC
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknow	unknown	unknow
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	200 V	600 V	800 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
JESD-609代码	e0	-	-	e0	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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