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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5401
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1N5401

产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小220KB，共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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1N5401概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 100 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5401规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状圆
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料硅
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

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1N5400 THRU 1N5408
GENERAL PURPOSE PLASTIC SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage – 50 to 1000 V
Forward Current – 3 A
Features
•
High current capability
•
Low leakage current
Mechanical Data
•
Case: Molded plastic, DO-201AD
•
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-202, method 208 guaranteed
•
Polarity: Color band denotes cathode end
•
Mounting position: Any
Absolute Maximum Ratings and Characteristics
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive
or
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375"(9.5 mm) Lead Length at T
A
= 75
O
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half-sine-wave Superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 3 A DC
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
1)
Typical Thermal Resistance
2)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
1)
2)
Symbols
1N
5400
50
35
50
1N
5401
100
70
100
1N
5402
200
140
200
1N
5403
300
210
300
1N
5404
400
280
400
1N
5405
500
350
500
1N
5406
600
420
600
1N
5407
800
560
800
1N
5408
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
3
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
stg
200
1.1
5
1000
50
18
-55 to +150
-55 to +150
O
A
V
µA
pF
C/W
O
T
A
= 25
O
C
T
A
= 100
O
C
C
C
O
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
Thermal resistance junction to ambient and juntion to lead at 0.375" (9.5 mm) lead length P.C.B mounted
with 0.8 X 0.8" (20 X 20 mm) copper pads.
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
Dated : 25/04/2006 H

1N5401相似产品对比

1N5401 1N5400 1N5403 1N5402
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
端子数量 2 2 - 2
元件数量 1 1 - 1
加工封装描述 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 - 塑料 PACKAGE-2
状态 ACTIVE ACTIVE - DISCONTINUED
包装形状 圆 圆 - 圆
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
端子形式 线 线 - 线
端子涂层 锡 MATTE 锡 - 锡 铅
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 - 单一的
壳体连接 隔离 隔离 - 隔离
二极管元件材料 硅 硅 - 硅
二极管类型 整流二极管 整流二极管 - 整流二极管
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
相数 1 1 - 1
最大重复峰值反向电压 100 V 50 V - 200 V
最大平均正向电流 3 A 3 A - 3 A
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A - 200 A

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