TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
| 表面贴装 | YES |
| Base Number Matches | 1 |
| H5N2005D(S)-(3) | H5N2005D(S)-(1) | |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W | 25 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
