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EDI88128LPS55LB

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
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文件大小464KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI88128LPS55LB概述

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

EDI88128LPS55LB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFJ
包装说明CERAMIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N32
长度21.082 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码SOLCC32,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.4384 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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