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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SF1004GC0
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SF1004GC0

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小386KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SF1004GC0概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

SF1004GC0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.975 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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creat by art
SF1001G- SF1008G
10.0AMPS. Glass Passivated Super Fast Rectifiers
TO-220AB
Features
High efficiency, low VF
High current capavility
High reliability
High surge current capability
Low power loss.
For use in low voltage, high frequency inverter,
free wheeling, and polarity protection
application
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode.
Mechanical Data
Case: TO-220AB Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C/10 seconds 16".,(4.06mm) from case.
Weight: 1.82 grams
Ordering Information(example)
Part No.
Package
Packing
Packing code
C0
Packing code
(Green)
C0G
SF1001G TO-220AB 50 / TUBE
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@5A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
(Note 1)
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJC
T
J
T
STG
SF
1001G
50
35
50
SF
1002G
100
70
100
SF
1003G
150
105
150
SF
1004G
200
140
200
10
SF
1005G
300
210
300
SF
1006G
400
280
400
SF
1007G
500
350
500
SF
1008G
600
420
600
Units
V
V
V
A
A
125
0.975
10
400
35
70
3.5
- 55 to + 150
- 55 to + 150
50
O
1.3
1.7
V
uA
uA
nS
pF
C/W
O
O
@ T
A
=25
℃
@ T
A
=100
℃
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A.
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
Version:H13

SF1004GC0相似产品对比

SF1004GC0 SF1008GC0G SF1006GC0G SF1002GC0G SF1002GC0 SF1003GC0 SF1003GC0G
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.975 V 1.7 V 1.3 V 0.975 V 0.975 V 0.975 V 0.975 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A 125 A
元件数量 2 2 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V 400 V 100 V 100 V 150 V 150 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor

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