HY628100ALLT1-50,HY628100ALLT1-50 pdf中文资料,HY628100ALLT1-50引脚图,HY628100ALLT1-50电路-Datasheet-电子工程世界

电子工程世界电子工程世界

Datasheet

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY628100ALLT1-50

HY628100ALLT1-50: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY628100ALLT1-50概述

Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

HY628100ALLT1-50规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	50 ns
其他特性	BATTERY BACKUP
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6
长度	18.4 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

HY628100ALLT1-50相似产品对比

	HY628100ALLT1-50	HY628100AG-50	HY628100ALLG-50	HY628100ALG-50	HY628100ALT1-50	HY628100AT1-50
描述	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
零件包装代码	TSOP1	SOIC	SOIC	SOIC	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSOP1,	SOP,	SOP,	SOP,	TSOP1,	TSOP1,
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	18.4 mm	20.498 mm	20.498 mm	20.498 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	SOP	SOP	SOP	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	11.2015 mm	11.2015 mm	11.2015 mm	8 mm	8 mm
其他特性	BATTERY BACKUP	-	BATTERY BACKUP	BATTERY BACKUP	BATTERY BACKUP	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-
厂商名称	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

HY628100ALLT1-50

HY628100ALLT1-50概述

HY628100ALLT1-50规格参数

HY628100ALLT1-50相似产品对比

推荐资源