电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5391

产品描述1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小180KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5391在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5391 - - 点击查看 点击购买

1N5391概述

1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

1N5391规格参数

参数名称属性值
厂商名称SECOS
Reach Compliance Codecompli

文档预览

下载PDF文档
1N5391
THRU
1N5399
Elektronische Bauelemente
VOLTAGE 50V ~ 1000V
1.5 AMP Silicon Rectifiers
A suffix of "-C" indicates halogen-free & RoHS Compliant
DO -15
.
Low Forward Voltage Drop
.
High Current Capability
.
High Reliability
.
High Surge Current Capability
FEATURES
.140(3.6)
.104(2.6)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
.300(7.6)
.230(5.8)
.
Case: Molded Plastic
.
Epoxy: UL 94V-0 Rate Flame Retardant
.
Lead: Axial Lead, Solder Able per MIL-STD-202,
.
Polarity: Color Band Denotes Cathode End
.
Mounting Position: Any
.
Weight: 0.40 grams
Method 208 Guaranteed
MECHANICAL DATA
.034(.9)
.028(.7)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimens ions in inches and (millimeters )
Rating 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1N5392
1N5393
TYPE NUMBER
1N5391
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
50
100
200
Maximum RMS Voltage
35
70
140
Maximum DC Blocking Voltage
50
100
200
Maximum Average Forward Rectified Current,
.375" (9.5mm) Lead Length at Ta=50
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.5A
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 100
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance R JA (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range T
J
, T
STG
NOTES:
1. Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient .375" (9.5mm) Lead Length.
1N5395
400
280
400
1.5
50
1.0
5.0
50
20
50
-65 ~ +175
1N5397
600
420
600
1N5398
800
560
800
1N5399
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
pF
/W
http://www.SeCoSGmbH.com/
24-May-2007
Rev. A
Any changing of specification will not be informed individual
Page 1 of
2

1N5391相似产品对比

1N5391 1N5395 1N5392 1N5393
描述 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE, DO-15
厂商名称 SECOS SECOS SECOS SECOS
Reach Compliance Code compli compli compli compli
请教STM32F103的系统时钟设置问题
STM32F103R8,使用HSI 设置 RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSI_Div2,RCC_PLLMul_9);时没有出现问题, 设置RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSI_Div2,RCC_PLLMul_16); 时就跑到HardFaultExcept ......
liuwy stm32/stm8
7219-时钟
这是max7219驱动8位共阴数码管显示的电子钟仿真。希望对大家有帮助。...
guoyuanqiang 单片机
SPARC V8结构嵌入式微处理器开发环境的设计实现之一
SPARC V8结构嵌入式微处理器开发环境的设计实现标签: SPARC 嵌入式 环境 结构 微处理器 1小时前 关键词:SPARC V8;嵌入式微处理器;开发环境 SPARC V8( Scalable Processor Architecture V8 ......
天天谈芯 嵌入式系统
电容、电感的相位差是如何产生的?
对于正弦信号,流过一个元器件的电流和其两端的电压,它们的相位不一定是相同的。 这种相位差是如何产生的呢?这种知识非常重要,因为不仅放大器、自激振荡器的反馈信号要考虑相位,而且在构 ......
Jacktang 模拟与混合信号
【电机套件 P-NUCLEO-IHM】第四篇 任务三打卡
任务三打卡 《任务三:监控任意数据变量,并且截图》 固件我还是采用自选任务的固件,监控的数据变量选择最最直观的转速吧。 ST的 ......
常见泽1 stm32/stm8
滤波器的设计
请教大伙一个事情:使用RC电路如何去设计一个 -20dB/十倍频程衰减的低通滤波器???就是R与C的参数到底该怎么去确定?在网上找了很久的资料说的太离散了~~~看到帖子的朋友知道如何设计的话,真 ......
xiaodanbao 测试/测量

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 54  1799  1333  573  876  34  9  21  26  30 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved