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IR30CDR10L

产品描述DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DIE-1, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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IR30CDR10L概述

DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DIE-1, Rectifier Diode

IR30CDR10L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
零件包装代码DIE
包装说明O-XUUC-N1
针数1
Reach Compliance Codeunknown
应用HIGH POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin I0308J 11/01
IR30CDR..L SERIES
HIGH POWER RECTIFIER DIODES
Junction Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
30 mm Diameter
400 to 1000 V
Diffused Junction
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
1.25 V
400 to 1000 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 1000 A
T
J
= 150°C, I
RRM
= 20 mA
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition
Nominal Front Metal Composition
Chip Dimensions
Recommended Storage Environment
Al - Ni - Au
Nickel plate Molibdenum disc
30 mm diameter (see drawing)
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1

IR30CDR10L相似产品对比

IR30CDR10L
描述 DIODE 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DIE-1, Rectifier Diode
是否无铅 含铅
零件包装代码 DIE
包装说明 O-XUUC-N1
针数 1
Reach Compliance Code unknown
应用 HIGH POWER
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XUUC-N1
元件数量 1
相数 1
端子数量 1
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 ROUND
封装形式 UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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