BD139-6,BD139-6 pdf中文资料,BD139-6引脚图,BD139-6电路-Datasheet-电子工程世界

BD139-6: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小90KB，共2页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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BD139-6概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

BD139-6规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Base Number Matches	1

BD139-6相似产品对比

	BD139-6	BD137-10	BD139-16	BD135-6	BD137-16	BD139-10	BD137-6	BD139
描述	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	-	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
集电极-发射极最大电压	-	60 V	80 V	45 V	60 V	80 V	60 V	80 V
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	-	63	100	40	100	63	40	40
JESD-30 代码	-	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	-	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	-	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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