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IS61SP6436-6TQ: 产品描述Cache SRAM, 64KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小222KB，共16页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61SP6436-6TQ概述

Cache SRAM, 64KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61SP6436-6TQ规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX36
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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IS61SP6436

64K x 36 SYNCHRONOUS

PIPELINED STATIC RAM

ISSI

JULY 1999

ISSI

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Pentium™ or linear burst sequence control

using MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Power-down control by ZZ input

• JEDEC 100-Pin TQFP and PQFP package

• Single +3.3V power supply

• Two Clock enables and one Clock disable to

eliminate multiple bank bus contention.

• Control pins mode upon power-up:

– MODE in interleave burst mode

– ZZ in normal operation mode

These control pins can be connected to GND

or V

CCQ

to alter their power-up state

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61SP6436 is a high-speed, low-power synchro-

nous static RAM designed to provide a burstable, high-

performance, secondary cache for the i486™, Pentium™,

680X0™, and PowerPC™ microprocessors. It is organized

as 65,536 words by 36 bits, fabricated with

ISSI

's advanced

CMOS technology. The device integrates a 2-bit burst counter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs into

a single monolithic circuit. All synchronous inputs pass through

registers controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by the

rising edge of the clock input. Write cycles can be from one to

four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

BW1

controls DQP1 and DQ1-DQ8,

BW2

controls DQP2 and

DQ9-DQ16,

BW3

controls DQP3 and DQ17-DQ24,

BW4

controls DQP4 and DQ25-DQ32, conditioned by

BWE

being

LOW. A LOW on

input would cause all bytes to be written.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller) input

pins. Subsequent burst addresses can be generated inter-

nally by the IS61SP6436 and controlled by the

ADV

(burst

address advance) input pin.

Asynchronous signals include output enable (

), sleep mode

input (ZZ), clock (CLK) and burst mode input (MODE). A HIGH

input on the ZZ pin puts the SRAM in the power-down state.

When ZZ is pulled LOW (or no connect), the SRAM normally

operates after three cycles of the wake-up period. A LOW

input, i.e., GND

, on MODE pin selects LINEAR Burst. A V

CCQ

(or no connect) on MODE pin selects INTERLEAVED Burst.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

-133

7.5

133

-117

8.5

117

-5

100

-6

-7

-8

Unit

MHz

This document contains PRELIMINARY data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product.

Integrated Silicon Solution, Inc.

SR029-1C

08/11/99

IS61SP6436-6TQ相似产品对比

	IS61SP6436-6TQ	IS61SP6436-7TQI	IS61SP6436-8PQ	IS61SP6436-8PQI	IS61SP6436-8TQ	IS61SP6436-8TQI	IS61SP6436-6TQI	IS61SP6436-7PQI	IS61SP6436-7TQ	IS61SP6436-7PQ
描述	Cache SRAM, 64KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, QFP-100	PLASTIC, QFP-100	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, QFP-100	TQFP-100	PLASTIC, QFP-100
针数	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	6 ns	7 ns	8 ns	8 ns	8 ns	8 ns	6 ns	7 ns	7 ns	7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	75 MHz	66 MHz	66 MHz	66 MHz	66 MHz	83 MHz	75 MHz	75 MHz	75 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36	64KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	QFP	QFP	LQFP	LQFP	LQFP	QFP	LQFP	QFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.7X.9	QFP100,.7X.9	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.7X.9	QFP100,.63X.87	QFP100,.7X.9
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	3.22 mm	3.22 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	3.22 mm	1.6 mm	3.22 mm
最大待机电流	0.01 A	0.02 A	0.01 A	0.02 A	0.01 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.22 mA	0.22 mA	0.2 mA	0.21 mA	0.2 mA	0.21 mA	0.23 mA	0.22 mA	0.21 mA	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	-
厂商名称	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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