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SFF55N20Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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SFF55N20Z概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254Z, 3 PIN

SFF55N20Z规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-254Z
包装说明FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-CSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SFF55N20Z相似产品对比

SFF55N20Z SFF55N20M
描述 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254Z, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254, 3 PIN
零件包装代码 TO-254Z TO-254
包装说明 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.055 Ω 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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