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CMPT918LEADFREE: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小319KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMPT918LEADFREE概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT918LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
基于收集器的最大容量	3 pF
集电极-发射极最大电压	15 V
配置	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	600 MHz
Base Number Matches	1

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CMPT918

SURFACE MOUNT

NPN SILICON

RF TRANSISTOR

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT918 type

is an NPN silicon RF transistor manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a surface

mount package, designed for high frequency

(VHF/UHF) amplifier and oscillator applications.

MARKING CODE: C3B

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

3.0

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

Cob

Cib

Pout

Gpe

VCB=15V

IC=1.0μA

IC=3.0mA

IE=10μA

IC=10mA,

IB=1.0mA

600

3.0

MAX

UNITS

MHz

0.4

1.0

VCE=1.0V, IC=3.0mA

VCE=10V, IC=4.0mA, f=100MHz

VCB=0V, IE=0, f=1.0MHz

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz

VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

VCB=15V, IC=8.0mA, f=500MHz

VCB=12V, IC=6.0mA, f=200MHz

VCE=6.0V, IC=1.0mA, RS=50Ω, f=60MHz

3.0

1.7

2.0

6.0

R5 (27-January 2010)

CMPT918LEADFREE相似产品对比

	CMPT918LEADFREE	CMPT918TR
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3	双极小信号 npn gen pur switch
是否无铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A
基于收集器的最大容量	3 pF	3 pF
集电极-发射极最大电压	15 V	15 V
配置	SINGLE	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	600 MHz	600 MHz
Base Number Matches	1	1

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