Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> UZC834A

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UZC834A: 产品描述Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小19KB，共2页; 制造商Diodes Incorporated

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UZC834A概述

Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt

UZC834A规格参数

参数名称	属性值
包装说明	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最小击穿电压	25 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	10%
最小二极管电容比	5
标称二极管电容	47 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
最大功率耗散	0.33 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	200
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
变容二极管分类	HYPERABRUPT
Base Number Matches	1

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SOT23 SILICON VARIABLE

CAPACITANCE DIODES

ISSUE 5 – JANUARY 1998

FEATURES

* Close Tolerance C-V Characteristics

* High Tuning Ratio

* Low I

Enabling Excellent Phase Noise Performance

Typically <200pA at 25V)

ZC830/A/B

ZC836/A/B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

Forward Current

Power Dissipation at T

amb

=25°C

Operating and Storage Temperature Range

SYMBOL

tot

stg

MAX

200

330

SOT23

UNIT

°C

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

=25°C)

PARAMETER

Reverse Breakdown

Voltage

Reverse Voltage Leakage

Temperature Coefficient

of Capacitance

SYMBOL

MIN

0.2

0.03

0.04

TYP

MAX

UNIT CONDITIONS

%/°C

=10

=20V

=3V, f=1MHz

TUNING CHARACTERISTICS (at T

amb

=25°C)

PART NO

Nominal Capacitance (pF)

=2V, f=1MHz

MIN

ZC830A

ZC831A

ZC832A

ZC833A

ZC834A

ZC835A

ZC836A

9.0

13.5

19.8

29.7

42.3

61.2

90.0

NOM

10.0

15.0

22.0

33.0

47.0

68.0

100.0

MAX

11.0

16.5

24.2

36.3

51.7

74.8

110.0

Minimum

@ V

=3V

f=50MHz

300

200

100

Capacitance Ratio

/ C

at f=1MHz

MIN

4.5

5.0

MAX

6.0

6.5

Note:

No suffix

20% (e.g. ZC830), suffix B

5% (e.g. ZC830B)

Spice parameter data is available upon request for this device

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