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NM24C04LN

产品描述IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM
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文件大小382KB,共12页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NM24C04LN概述

IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM

NM24C04LN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.8 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDMR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
Base Number Matches1

NM24C04LN相似产品对比

NM24C04LN NM24C08LN NM24C04LEM8 NM24C04LEN NM24C02LM8
描述 IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM IC 1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8, Programmable ROM IC 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM IC 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS 2 WIRE I2C INTERFACE; 16 BYTE PAGE WRITE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 0.8 MHz 0.8 MHz 0.8 MHz 0.8 MHz 0.8 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDMR 1010DMMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 9.817 mm 9.817 mm 4.9 mm 9.817 mm 4.9 mm
内存密度 4096 bit 8192 bit 4096 bit 4096 bit 2048 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 512 words 1024 words 512 words 512 words 256 words
字数代码 512 1000 512 512 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 512X8 1KX8 512X8 512X8 256X8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
电源 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A
最大压摆率 0.001 mA 0.003 mA 0.001 mA 0.001 mA 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 15 ms 15 ms 15 ms 15 ms 15 ms
Base Number Matches 1 1 1 - -
厂商名称 - - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
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