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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXFH40N30Q
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IXFH40N30Q

产品描述Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB，共5页
制造商IXYS
标准  
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IXFH40N30Q在线购买

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IXFH40N30Q概述

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

IXFH40N30Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247
包装说明TO-247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）1000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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