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IXSK35N120AU1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共2页
制造商IXYS
标准  
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IXSK35N120AU1在线购买

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IXSK35N120AU1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

IXSK35N120AU1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-264
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SPEED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)70 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-264
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值300 W
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1100 ns
标称接通时间 (ton)230 ns
VCEsat-Max4 V
Base Number Matches1
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