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APT75GP120J

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 128A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共6页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
标准
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APT75GP120J概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 128A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4

APT75GP120J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)128 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)359 ns
标称接通时间 (ton)60 ns
Base Number Matches1

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