电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4942

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小48KB,共2页
制造商MIC
官网地址http://www.cnmic.com/
下载文档 选型对比 全文预览

1N4942在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4942 - - 点击查看 点击购买

1N4942概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP

文档预览

下载PDF文档
FAST RECOVER RECTIFIER
1N4942 THRU 1N4948
FEATURES
VOLTAGE RANGE
CURRENT
200 to 1000 Volts
1.0 Ampere
DO-41
.034(0.9)
.028(0.7)
1.0(25.4)
MIN.
DIA.
Low coat construction
Fast switching for high efficency.
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10 secods/.375”(9.5mm)lead length at 5 lbs(2.3kg) tension
.205(5.2)
.160(4.2)
.107(2.7) DIA.
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
Case: Transfer molded plastic
Epoxy: UL94V-O rate flame retardant
Polarity: Color band denotes cathode end
Lead: Plated axial lead, solderable per MIL-STD-202E method 208C
Mounting position: Any
Weight: 0.012 ounce, 0.33 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
SYMBOLS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
= 75℃
Peak Forward Surge Current
8.3mS single half sine wave superimposed on
rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage
T
A
= 25℃
T
A
= 100℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
trr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
1N
4942
200
140
200
1N
4944
400
280
400
1N
4946
600
420
600
1.0
30
1.3
5.0
100
250
15
50
1N
4947
800
560
800
1N
4948
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
µA
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3) T
J
=25℃
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
150
500
ns
pF
/W
(-55 to +150)
(-55 to +150)
Notes:
1.Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0Volits.
2 Thermal Resistance from junction to Ambient at .375”(9.5mm)lead length, P.C.board mounted.
3.Reverse Recovery Test Conditions:If=0.5A,Ir=1.0A,Irr=0.25A
E-mail:
sales@cnmic.com
Web Site: www.cnmic.com

1N4942相似产品对比

1N4942 1N4944 1N4946 1N4947
描述 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP

推荐资源

与大家聊聊闲置物品兑换芯币
自从EEWORLD论坛闲置物品兑换芯币规则发出之后,在淘E淘版块涌现出了大量闲置物品交换的帖子。在此,我们要感谢大家的支持:kiss:能让这个活动将长期的进行下去,也希望大家不只局限于板子, ......
eric_wang 淘e淘
Protel 报错分析
用Protel 按层次电路的方式设计一个板子,出现了以下报错 #1 Error Duplicate Sheet Numbers 0 DLB.prj And POWER.sch #2 Error Duplicate Sheet Numbers 0 DLB.prj And LPC.sch #3 ......
chilezhima 模拟电子
希望STM32内部集成EEPROM
在用STM32时候,希望"一些可变数据跟着芯片走",虽然STM32提供了20个字节的BKP-RAM,但需要用VBAT来维持.不是很方便呀!...
chen_elppa stm32/stm8
ccs5.1使用疑惑
CCS5.1编写程序定义变量时用unsigned int 这个定义不能使用,必须volatile unsigned int 这样才能使用为什么呢,有没有那里可以设置为unsigned int就能使用的方法??? ...
hcj1995 微控制器 MCU
求一款低成本的升压芯片
最近项目要用,需要一款低成本的升压芯片或者模块,6V输入,28V输出,输出电流1A,不知道有没有坛友之前用过类似的片子。 重点是片子要稳定耐造,价格不要太高。 ...
leekuip 电源技术
应急灯手摇式自发电手电筒电路剖析
有时我们的手电筒的电池没有电了,一时又买不到电池,又急需照明,或许本文介绍的手摇式自发电手电筒能够解决你的燃眉之急。   该手摇动式自发电手电筒电路原理如图1所示。其结构示意图如图2 ......
qwqwqw2088 能源基础设施

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1981  2681  1131  209  665  40  54  23  5  14 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved