电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

S1605-8TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小294KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
下载文档 详细参数 全文预览

S1605-8TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

S1605-8TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G16
Reach Compliance Codecompliant
最小击穿电压6 V
配置SEPARATE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G16
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量8
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 172  601  666  817  1625 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved