4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 500 V |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 4.5 A |
最大漏极导通电阻 | 1.5 ohm |
最大漏电流脉冲 | 15 A |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved