TS339MJ放大器基础信息：
TS339MJ是一款COMPARATOR。
TS339MJ放大器核心信息：
TS339MJ的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。
提及放大器的敏感性，最适合的莫过于标称响应时间。TS339MJ仅需2900 ns即可完成响应。厂商给出的TS339MJ的最大压摆率为0.08 mA.
TS339MJ的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为：5 V。TS339MJ的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TS339MJ的相关尺寸：
TS339MJ拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
TS339MJ放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。TS339MJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。TS339MJ的封装代码是：DIP。
TS339MJ封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。TS339MJ封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
TS339MJ放大器基础信息：
TS339MJ是一款COMPARATOR。
TS339MJ放大器核心信息：
TS339MJ的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。
提及放大器的敏感性，最适合的莫过于标称响应时间。TS339MJ仅需2900 ns即可完成响应。厂商给出的TS339MJ的最大压摆率为0.08 mA.
TS339MJ的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为：5 V。TS339MJ的输入失调电压为5000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TS339MJ的相关尺寸：
TS339MJ拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
TS339MJ放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。TS339MJ不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。TS339MJ的封装代码是：DIP。
TS339MJ封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。TS339MJ封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 放大器类型 | COMPARATOR |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 2900 ns |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| TS339MJ | TS339CJ | TS339IJ | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC | IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC | IC,VOLT COMPARATOR,QUAD,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 放大器类型 | COMPARATOR | COMPARATOR | COMPARATOR |
| 最大输入失调电压 | 5000 µV | 5000 µV | 5000 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 | R-XDIP-T14 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 105 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 2900 ns | 2900 ns | 2900 ns |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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