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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N6341
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JANTXV2N6341

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N6341概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin,

JANTXV2N6341规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078586982
零件包装代码TO-3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-204
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/509
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz

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TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/509
Devices
2N6338
2N6341
Qualified Level
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation
(1)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
stg
Symbol
0
2N6338
100
120
2N6341
150
180
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0
@ T
A
= +25
0
C
@ T
C
= +100
0
C
Operating & Storage Junction Temperature Range
6.0
10
25
200
112
-65 to +175
Max.
0.875
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R
θ
JC
Derate linearly 1.14 W/ C for T
C
= +25 C and T
C
= +200
0
C
0
0
TO-3*
(TO-204AA)
Unit
C/W
*See appendix A for
package outline
1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 50 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 50 Vdc
V
CE
= 75 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 100 Vdc, V
BE
= 1.5 Vdc
V
CE
= 150 Vdc, V
BE
= 1.5 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 6.0 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 120 Vdc
V
CB
= 180 Vdc
2N6338
2N6341
2N6338
2N6341
2N6338
2N6341
V
(BR)
CEO
100
150
50
Vdc
I
CEO
µAdc
I
CEX
I
EBO
10
10
100
10
10
µAdc
µAdc
µAdc
2N6338
2N6341
I
CEO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

JANTXV2N6341相似产品对比

JANTXV2N6341 JANTX2N6338 JANTX2N6341 JANTXV2N6338
描述 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204, Metal, 2 Pin,
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 150 V 100 V 150 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30
JEDEC-95代码 TO-204 TO-204 TO-204 TO-204
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W 200 W 200 W
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/509 MIL-19500/509 MIL-19500/509 MIL-19500/509
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz 40 MHz 40 MHz
Objectid 2078586982 2078571964 - 2078586979

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