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SFX9130JDB

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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SFX9130JDB概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

SFX9130JDB规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-257AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)320 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Solid State Devices, Inc.
14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SFX9130J
10 AMP /100 Volts
300 mΩ
P-Channel MOSFET
Features:
Rugged construction with polysilicon gate
Low ON-resistance and high
transconductance
Excellent high temperature stability
Hermetically Sealed, Isolated Package
Low Total Gate Charge
Fast Switching
replacement for IRF9130 types
TX, TXV, S-Level screening available
DESIGNER’S DATA SHEET
TO-257
Maximum Ratings
Drain - Source Voltage
Gate – Source Voltage
Max. Continuous Drain Current (package limited)
Max. Avalanche current
Repetitive Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy
Total Power Dissipation
Operating & Storage Temperature
Maximum Thermal Resistance
(Junction to Case)
PACKAGE OUTLINE:
TO-257 (J)
PINOUT:
PIN 1: DRAIN
PIN 2: SOURCE
PIN 3: GATE
Symbol
V
DSS
V
GS
@ T
C
= 25ºC
@ T
C
= 100ºC
@ L= 5.0 mH
@ L= 5.0 mH
@ L= 5.0 mH
@ T
C
= 25ºC
I
D1
I
D2
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
T
OP
& T
STG
R
0JC
Value
-100
±20
10
7
9.8
5.2
320
75
-55 to +150
1.65
Units
V
V
A
A
mJ
mJ
W
ºC
ºC/W
SUFFIX JDB
SUFFIX JUB
NOTE:
All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: FT0013A
DOC

SFX9130JDB相似产品对比

SFX9130JDB SFX9130JUB
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN
零件包装代码 TO-257AA TO-257AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 320 mJ 320 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-XSFM-P3 S-XSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
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