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AS7C33512PFD36A-200BC

产品描述Standard SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小54KB,共2页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AS7C33512PFD36A-200BC概述

Standard SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

AS7C33512PFD36A-200BC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
组织512KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

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July 2001
Advanced Information
®
AS7C33512PFD32A
AS7C33512PFD36A
3.3V 512K
×
32/36 pipeline burst synchronous SRAM
Features
• Organization: 524,288 words x 32/36 bits
• Fast clock speeds to 200MHz in LVTTL/LVCMOS
• Fast clock to data access: 3.0/3.5/4.0 ns
• Fast OE access time: 3.0/3.5/4.0 ns
• Fully synchronous register-to-register operation
• Single register “Flow-through” mode
• Dual-cycle deselect
- Single-cycle deselect also available ( AS7C33512PFS32A/
AS7C33512PFS36A)
• Pentium®
*
compatible architecture and timing
• Asynchronous output enable control
• 100-pin TQFP package
• 119-Ball BGA (7 x 17 Ball Grid Array Package)
• Byte write enables
• Multiple chip enables for easy expansion
• 3.3 core power supply
• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V
DDQ
• NTD™
*
pipeline architecture available
(AS7C33512NTD32A/ AS7C33512NTD36A)
Logic Block Diagram:
* Pentium
®
is a registered trademark of Intel Corporation. NTD™ is a
trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All trademarks
mentioned in this document are the property of their respective owners.
Pin Arrangements:
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[18:0]
19
CLK
CE
CLR
D
CE
Address
register
CLK
D
Q0
Burst logic
Q1
18
Q
A6
A7
CE0
CE1
BW
d
BW
c
BW
b
BW
a
CE2
V
DD
V
SS
CLK
GWE
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
512K × 32/36
Memory
array
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
16
18
GWE
BWE
BW
d
DQ
d
Q
Byte write
registers
CLK
DQ
c
Q
Byte write
registers
CLK
D
DQ
b
Q
Byte write
registers
CLK
D
DQ
a
Q
Byte write
registers
CLK
D
Enable
CE
register
CLK
Power
down
D
Enable
Q
delay
register
CLK
Q
D
36/32
36/32
BW
c
BW
b
BW
a
CE0
CE1
CE2
4
ZZ
Note: Pins 1,30,51,80 are NC for ×32
OE
FT
DATA [35:0]
DATA [31:0]
Selection guide
Minimum cycle time
Maximum clock frequency
Maximum pipelined clock access time
Maximum operating current
Maximum standby current
Maximum CMOS standby current (DC)
-200
5
200
3.0
400
110
30
-166
6
166
3.5
350
110
30
LBO
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
V
SS
V
DD
A18
A17
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OE
Output
registers
CLK
Input
registers
CLK
DQP
c
/NC
DQ
c
DQ
c
V
DDQ
V
SSQ
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
V
SSQ
V
DDQ
DQ
c
DQ
c
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
d
DQ
d
V
DDQ
V
SSQ
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
V
SSQ
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
DQP
d
/NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
TQFP 14 × 20 mm
512K x 32A/36A
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQP
b
/NC
DQ
b
DQ
b
V
DDQ
V
SSQ
DQ
b
DQ
b
DQ
b
DQ
b
V
SSQ
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
V
SS
NC
VDD
ZZ
DQ
a
DQ
a
V
DDQ
V
SSQ
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
V
SSQ
V
DDQ
DQ
a
DQ
a
DQP
a
/NC
-100
10
100
4.0
250
70
30
Units
ns
MHz
ns
mA
mA
mA
8/27/01; v.0.9.1
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