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MWT-H15

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共2页
制造商IXYS
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MWT-H15概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,

MWT-H15规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最大反馈电容 (Crss)0.06 pF
最高频带KA BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N
元件数量1
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)11 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

MWT-H15相似产品对比

MWT-H15
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant
配置 SINGLE
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最大反馈电容 (Crss) 0.06 pF
最高频带 KA BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N
元件数量 1
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 11 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1
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