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MGF4714AP-65

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小299KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGF4714AP-65概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

MGF4714AP-65规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.06 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)4.9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1
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