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2SD200

产品描述12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小146KB,共4页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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2SD200概述

12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

12 A, 400 V, NPN, 硅, 功率晶体管

2SD200规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流12 A
最大集电极发射极电压400 V
加工封装描述MT-100, TO-3P, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数10
额定交叉频率10 MHz

2SD200相似产品对比

2SD200 2SC5071
描述 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
端子数量 3 3
晶体管极性 NPN NPN
最大集电极电流 12 A 12 A
最大集电极发射极电压 400 V 400 V
加工封装描述 MT-100, TO-3P, 3 PIN MT-100, TO-3P, 3 PIN
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子位置 SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最小直流放大倍数 10 10
额定交叉频率 10 MHz 10 MHz
DDK中: 如何Sleep ?
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