12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
12 A, 400 V, NPN, 硅, 功率晶体管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
晶体管极性 | NPN |
最大集电极电流 | 12 A |
最大集电极发射极电压 | 400 V |
加工封装描述 | MT-100, TO-3P, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最小直流放大倍数 | 10 |
额定交叉频率 | 10 MHz |
2SD200 | 2SC5071 | |
---|---|---|
描述 | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
端子数量 | 3 | 3 |
晶体管极性 | NPN | NPN |
最大集电极电流 | 12 A | 12 A |
最大集电极发射极电压 | 400 V | 400 V |
加工封装描述 | MT-100, TO-3P, 3 PIN | MT-100, TO-3P, 3 PIN |
无铅 | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE | SINGLE |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER |
最小直流放大倍数 | 10 | 10 |
额定交叉频率 | 10 MHz | 10 MHz |
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