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CYM8301BV33-12BGI

产品描述SRAM Module, 512KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
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文件大小334KB,共9页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CYM8301BV33-12BGI概述

SRAM Module, 512KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119

CYM8301BV33-12BGI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度12582912 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度24
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX24
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

CYM8301BV33-12BGI相似产品对比

CYM8301BV33-12BGI CYM8301BV33-10BGC CYM8301BV33-12BGC CYM8301BV33-10BGI
描述 SRAM Module, 512KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 SRAM Module, 512KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 SRAM Module, 512KX24, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 SRAM Module, 512KX24, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数 119 119 119 119
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 10 ns 12 ns 10 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 12582912 bit 12582912 bit 12582912 bit 12582912 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 24 24 24 24
功能数量 1 1 1 1
端子数量 119 119 119 119
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 512KX24 512KX24 512KX24 512KX24
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 220 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.3 mA 0.3 mA 0.3 mA 0.3 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1 1 -

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