MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT,MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT pdf中文资料,MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT引脚图,MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT电路-Datasheet-电子工程世界

MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT: 产品描述Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77; 产品类别存储存储; 文件大小200KB，共15页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT28C128516W18DFW-F606P70KTTWT概述

Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA77, FBGA-77

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	77
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH
JESD-30 代码	R-PBGA-B77
JESD-609代码	e0
长度	10 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	77
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN LEAD SILVER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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